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厂商型号

2N5088_J61Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-2N5088-J61Z

#1

数量:2952
1+¥1.658
25+¥1.37
100+¥1.143
250+¥0.959
500+¥0.829
1000+¥0.721
2000+¥0.591
最小起订量:1
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2N5088_J61Z产品详细规格

规格书 2N5088_J61Z datasheet 规格书
2N5088/89, MMBT5088/89
2N5088_J61Z datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 300 @ 100µA, 5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 50(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 35
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 300@10uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 4.5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 1mA, 10mA
标准包装 1,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 300 @ 100µA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 4.5 V
最大功率耗散 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 300
直流电流增益hFE最大值 900
增益带宽产品fT 50 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 35 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.1 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A

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